Salary & Location
Salary negotiable
(Regular monthly salary of NT$40,000 or above)
新竹縣竹北市
Required
Language Requirements
English
聽/中等、說/中等、讀/中等、寫/中等
Work Experience
3年以上
Job Description
1. 設計EVB與修改PCB和層壓板佈局
2. 焊接並更換EVB與層壓板上的SMD元件
3. 建置PA測試環境並建立測試報告
4. 萃取和分析PA的性能（例如Psat、PAE、AMAM、AMPM和S參數等）
5. 測量和分析產品在高溫和低溫下的性能數據合理性
6. 在ADI平台上建置PA的DPD測試環境
7. 其他主管交辦事項
Number of Openings
1~3人
Educational Requirements
碩士以上
Field of Study Requirements
電機電子工程相關
Work Schedule
日班
Leave Policy
依公司規定
Job Category
RF Communication Engineer
Other Specialized Engineer
新竹縣竹北市
IC設計相關業
本公司是一家專業的半導體IC設計公司，產品以III-V族化合物半導體為主，並專注於5G無線寬頻積體電路(MMIC)、天線射頻前端模組(RF Frontend Module)、低軌衛星IC與模組、高階化合物半導體(Compound Semiconductors)功率元件的設計公司，並致力於設計、優化元件磊晶結構及元件布局。
以5G產品來說，我們專注於設計與生產氮化鎵(GaN)高頻段毫米波(Millimeter Wave: mmWave)波段的IC，包含28GHz與39GHz的射頻開關(Switch)、低雜訊放大器(Low Noise Amplifier)、功率放大器(Power Amplifier)。
以天線射頻前端模組來說，本公司致力於研發高頻段之天線射頻前端模組，內含有天線陣列(Antenna-in-Package)，波束形成IC陣列(Beam-forming IC)及升/降頻轉換器(Up/down converter)及控制IC模組等，以應用於5G毫米波的小型基地台(small cell)。
以高階化合物半導體功率元件來說，專注於發展高崩潰電壓之D-mode氮化鎵功率元件與E-mode氮化鎵功率元件，本公司高階化合物半導體功率元件產品運用於充電樁、車載充電器、快充器及伺服器的轉換器。
