台亞半導體股份有限公司
Tiếng Anh Điều kiện
CaR310 氮化鎵元件設計工程師/技術主管（子公司）
11/18 Cập nhật
Toàn thời gian
Cấp nhân viên cao cấp
Tiếng Anh Điều kiệnLương & địa điểm làm việc
Thỏa thuận
(Thường từ 40.000NTD trở lên)
新竹市
Điều kiện
Yêu cầu ngôn ngữ
Tiếng Anh
聽/中等、說/中等、讀/中等、寫/中等
Kinh nghiệm
3年以上
Mô tả công việc
This GaN (Gallium Nitride) Device Engineer is responsible for the design, development, testing, and optimizes GaN-based power devices for applications like electric vehicles and renewable energy. The engineer will work closely with cross-functional teams to ensure the successful implementation of GaN technology in different products.
**Key Responsibilities:**
- Design GaN power devices including HEMTs (High Electron Mobility Transistors), diodes, and integrated circuits.
- Utilize simulation tools (e.g., TCAD, SPICE) to predict device performance and optimize designs.
- Perform electrical characterization of GaN power devices to evaluate performance metrics such as breakdown voltage, on-resistance, and switching speed.
- Analyze test data to identify performance trends and failure mechanisms.
- Implement reliability testing protocols to ensure long-term stability of power devices under various operating conditions.
- Collaborate with manufacturing teams to transition processes from R&D to production.
- Document and present findings, progress, and challenges to stakeholders and management.
Số lượng tuyển dụng
1~1人
Trình độ học vấn
大學(學院)以上
Yêu cầu ngành học
其他自然科學相關、電機電子工程相關、光電工程相關
Giờ làm việc
日班
Chế độ nghỉ
週休二日
Loại công việc
Electronics Engineers
Semiconductor Engineer
