本公司是一家專業的半導體IC設計公司，產品以III-V族化合物半導體為主，並專注於5G無線寬頻積體電路(MMIC)、天線射頻前端模組(RF Frontend Module)、低軌衛星IC與模組、高階化合物半導體(Compound Semiconductors)功率元件的設計公司，並致力於設計、優化元件磊晶結構及元件布局。 以5G產品來說，我們專注於設計與生產氮化鎵(GaN)高頻段毫米波(Millimeter Wave: mmWave)波段的IC，包含28GHz與39GHz的射頻開關(Switch)、低雜訊放大器(Low Noise Amplifier)、功率放大器(Power Amplifier)。 以天線射頻前端模組來說，本公司致力於研發高頻段之天線射頻前端模組，內含有天線陣列(Antenna-in-Package)，波束形成IC陣列(Beam-forming IC)及升/降頻轉換器(Up/down converter)及控制IC模組等，以應用於5G毫米波的小型基地台(small cell)。 以高階化合物半導體功率元件來說，專注於發展高崩潰電壓之D-mode氮化鎵功率元件與E-mode氮化鎵功率元件，本公司高階化合物半導體功率元件產品運用於充電樁、車載充電器、快充器及伺服器的轉換器。