4吋到8吋矽晶圓薄化(wafer thinning)，矽晶面鍍鉻、鍍銀、鍍鋁(front side metal)，矽晶背鍍金、鍍銀、鍍鋁(backside metal)等蒸鍍與濺鍍。並針對各類功率半導體元件(Shockley diode 、MOSFET、IGBT、BJT等)提供完整的後段製程代工服務。 對於各類功率元件後段先進製程的開發，本公司專注於晶背粗糙化(surface roughening)、晶背應力消除(stress relief)以及Rdson的降低等方面持續研發對策。同時也針對客戶的需求，提供功率元件前段各製程(磊晶製程、擴散製程、氧化製程、金屬濺鍍製程、離子植入製程、CVD製程、製程整合)工程參數諮詢與工程實驗規劃，並協助客戶導入晶背離子植入製程(backside implantation)，以期提高客戶的競爭力與降低成本。